BSZ123N08NS3G

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Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP

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规格书
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	40A
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs	25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1700pF @ 40V
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerVDFN
Power - Max	66W
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.3 mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package	PG-TSDSON-8 (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 33µA
包装	8TSDSON EP
通道模式	Enhancement
最大漏源电压	80 V
最大连续漏极电流	10 A
RDS -于	12.3@10V mOhm
最大门源电压	±20 V
典型导通延迟时间	12 ns
典型上升时间	18 ns
典型关闭延迟时间	19 ns
典型下降时间	4 ns
工作温度	-55 to 150 °C
安装	Surface Mount
标准包装	Tape & Reel
RoHS指令	RoHS Compliant Part

型号	厂家	产品描述
BSZ123N08NS3GATMA1	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP
BSZ123N08NS3 G	Infineon Technologies	MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH

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